Gamintojo produkto numeris:
2N7002E
Product Overview
Gamintojas:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Detalių numeris:
2N7002E-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 340mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Inventorius:
19405 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12988919
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N7002E Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Anbon Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
340mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
18 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
350mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
2N7002
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4530-2N7002ETR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSS138BKW-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-323
BSS138BKT-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
FDN338P
20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1
