Gamintojo produkto numeris:
2N4250A
Product Overview
Gamintojas:
Central Semiconductor Corp
Detalių numeris:
2N4250A-DG
Aprašymas:
TRANS PNP 60V TO126
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mW Through Hole TO-126
Inventorius:
12791018
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N4250A Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Central Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
60 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
10nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
250 @ 100µA, 5V
Galia - Maks.
200 mW
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-225AA, TO-126-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-126
Papildoma informacija
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
MJE210G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
3156
DiGi DALIES NUMERIS
MJE210G-DG
VISO KAINA
0.27
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
CTLT3410-M621 TR
TRANS NPN 25V 1A TLM621
CZT3904 TR PBFREE
TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
2N3565
TRANSISTOR NPN TO-106
