Gamintojo produkto numeris:
2N6467
Product Overview
Gamintojas:
Central Semiconductor Corp
Detalių numeris:
2N6467-DG
Aprašymas:
TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor 100 V 4 A 5MHz 40 W Through Hole TO-66
Inventorius:
13001654
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N6467 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Central Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
4 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
40 W
Dažnis - perėjimas
5MHz
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-213AA, TO-66-2
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-66
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
1514-2N6467
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MMBT3904
200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
MMBTA42-QR
TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB
BSR41-QF
BSR41-Q/SOT89/MPT3
