Gamintojo produkto numeris:

BSS52

Product Overview

Gamintojas:

Central Semiconductor Corp

Detalių numeris:

BSS52-DG

Aprašymas:

TRANS NPN DARL 80V 1A TO39

Išsami aprašymas:

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12997807

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

BSS52 Techninės specifikacijos

Kategorija

Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai

Gamintojas

Central Semiconductor

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

Tranzistoriaus tipas

NPN - Darlington

Srovė - kolektorius (Ic) (Max)

1 A

Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)

80 V

Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic

1.6V @ 4mA, 1A

Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)

50nA (ICBO)

Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Galia - Maks.

800 mW

Dažnis - perėjimas

-

Darbinė temperatūra

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Pakuotė / dėklas

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-39

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

1514-BSS52

Standartinis paketas

1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

nexperia

BC807-40QBH-QZ

TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3

good-ark-semiconductor

GSBC847BM

TRANSISTOR, NPN, 100 MA, 50V, SO

good-ark-semiconductor

GSBCP56-16

TRANSISTOR, NPN, 1A, 100V, 100-2

nexperia

PMBT2222A-QR

PMBT2222A-Q/SOT23/TO-236AB