Gamintojo produkto numeris:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMG4800LK3-13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventorius:
6452 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12882857
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMG4800LK3-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
VGS (Max)
±25V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
798 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.71W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252-3
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
DMG4800
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N7002TQ-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
