Gamintojo produkto numeris:
DMG4N65CT
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMG4N65CT-DG
Aprašymas:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12883638
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMG4N65CT Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.19W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
DMG4
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMG4N65CTDI
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STP5NK80Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
240
DiGi DALIES NUMERIS
STP5NK80Z-DG
VISO KAINA
0.85
Pakeitimo tipas
Direct
DALIES NUMERIS
IXTP4N80P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTP4N80P-DG
VISO KAINA
1.10
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IRF820PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1744
DiGi DALIES NUMERIS
IRF820PBF-DG
VISO KAINA
0.47
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN2027UPS-13
MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
DMN21D2UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN
DMP2004WK-7
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
