DMG7N65SJ3
Gamintojo produkto numeris:

DMG7N65SJ3

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMG7N65SJ3-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251

Inventorius:

12884126
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

DMG7N65SJ3 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
Automotive, AEC-Q101
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
886 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pagrindinio produkto numeris
DMG7N65

Papildoma informacija

Standartinis paketas
75

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
diodes

DMPH6050SFGQ-7

MOSFET P-CH 60V PWRDI3333

diodes

2N7002-7

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

diodes

DMT6013LSS-13

MOSFET N-CH 60V 10A 8SO

diodes

DMN2080UCB4-7

MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4