Gamintojo produkto numeris:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMJ70H1D3SH3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Inventorius:
12949687
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMJ70H1D3SH3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
700 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
351 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
41W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251 (Type TH3)
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pagrindinio produkto numeris
DMJ70
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPS70R1K4P7SAKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
VISO KAINA
0.18
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
IPS80R600P7AKMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IPS80R600P7AKMA1-DG
VISO KAINA
0.69
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060