Gamintojo produkto numeris:
DMN1002UCA6-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN1002UCA6-7-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
Inventorius:
12902665
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN1002UCA6-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Common Drain
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
-
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
-
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
68.6nC @ 4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-SMD, No Lead
Tiekėjo įrenginių paketas
X4-DSN3118-6
Pagrindinio produkto numeris
DMN1002
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMC3AM832TA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
