Gamintojo produkto numeris:
DMN1029UFDB-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN1029UFDB-7-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Inventorius:
128922 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12887770
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN1029UFDB-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.6A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.6nC @ 8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
914pF @ 6V
Galia - Maks.
1.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-UDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
U-DFN2020-6 (Type B)
Pagrindinio produkto numeris
DMN1029
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN1029UFDB-7DIDKR
DMN1029UFDB-7DITR
DMN1029UFDB-7DICT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN2016UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO