Gamintojo produkto numeris:
DMN14M8UFDF-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN14M8UFDF-7-DG
Aprašymas:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Išsami aprašymas:
N-Channel 12 V 14.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventorius:
12987024
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN14M8UFDF-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1246 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakuotė / dėklas
6-UDFN Exposed Pad
Pagrindinio produkto numeris
DMN14
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMN14M8UFDF-7TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
STMFS4935NT1G
STMFS4935NT1G
NTMFS5C442NLTWFT1G
NTMFS5C442NLTWFT1G
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
