Gamintojo produkto numeris:
DMN2005DLP4K-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN2005DLP4K-7-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 300mA 400mW Surface Mount X2-DFN1310-6 (Type B)
Inventorius:
27100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12888834
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN2005DLP4K-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
300mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
400mW
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-XFDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
X2-DFN1310-6 (Type B)
Pagrindinio produkto numeris
DMN2005
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN2005DLP4K7
DMN2005DLP4KDITR
DMN2005DLP4KDIDKR
DMN2005DLP4KDICT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN3013LFG-13
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
DMN65D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333