Gamintojo produkto numeris:
DMN2005UFG-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN2005UFG-13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventorius:
5947 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12888130
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
lAqL
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN2005UFG-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6495 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.05W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMN2005
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN2005UFG-13DITR
DMN2005UFG-13DICT
DMN2005UFG-13DIDKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
DMTH4008LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI5060