Gamintojo produkto numeris:
DMN2008LFU-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN2008LFU-7-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventorius:
5679 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12888766
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN2008LFU-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Common Drain
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250A
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1418pF @ 10V
Galia - Maks.
1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-UFDFN Exposed Pad
Tiekėjo įrenginių paketas
U-DFN2030-6 (Type B)
Pagrindinio produkto numeris
DMN2008
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN2008LFU-7DIDKR
DMN2008LFU-7DITR
DMN2008LFU-7DICT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT3020LFDB-13
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
DMN2400UV-7
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
DMNH6035SPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50
