Gamintojo produkto numeris:
DMN2019UTS-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN2019UTS-13-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventorius:
27844 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12891805
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN2019UTS-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Common Drain
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.4A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
950mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
143pF @ 10V
Galia - Maks.
780mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-TSSOP
Pagrindinio produkto numeris
DMN2019
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN2019UTS13
DMN2019UTS-13DIDKR
DMN2019UTS-13DICT
DMN2019UTS-13DITR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SSM6P54TU,LF
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A UF6
DMNH6022SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
DMNH6022SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.1A/22.6A 8SO
