Gamintojo produkto numeris:
DMN2029USD-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN2029USD-13-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
10847 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12887629
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN2029USD-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.8A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18.6nC @ 8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1171pF @ 10V
Galia - Maks.
1.2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
DMN2029
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMN2029USD-13DITR
DMN2029USD-13DICT
DMN2029USD-13DIDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
DMC2041UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
DMC2041UFDB-7
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
