DMN29M9UFDF-13

Gamintojo produkto numeris:

DMN29M9UFDF-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMN29M9UFDF-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

Išsami aprašymas:

N-Channel 20 V 11A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

13000724

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMN29M9UFDF-13 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

20 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

11A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

1.8V, 4.5V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

1.2V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

14.6 nC @ 10 V

VGS (Max)

±12V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

655 pF @ 8 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.2W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakuotė / dėklas

6-UDFN Exposed Pad

Pagrindinio produkto numeris

DMN29

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMN29M9UFDF-13TR

Standartinis paketas

10,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

DMN3066LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMP31D7LT-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT523 T&R

DMTH6002LPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMT35M4LFDF-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-