Gamintojo produkto numeris:
DMN6069SFGQ-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMN6069SFGQ-13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 2.4W Surface Mount PowerDI3333-8
Inventorius:
2945 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12883547
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMN6069SFGQ-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1480 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMN6069
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMN6069SFGQ-13DKR
31-DMN6069SFGQ-13TR
31-DMN6069SFGQ-13CT
DMN6069SFGQ-13-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMN6069SFGQ-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
5980
DiGi DALIES NUMERIS
DMN6069SFGQ-7-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMG4712SSS-13
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOP
DMTH6004LPS-13
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
DMN6040SVTQ-13
MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
