DMN90H8D5HCTI

Gamintojo produkto numeris:

DMN90H8D5HCTI

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMN90H8D5HCTI-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Išsami aprašymas:

N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12883041

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMN90H8D5HCTI Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

900 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

2.5A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

7.9 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

470 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

30W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

ITO-220AB

Pakuotė / dėklas

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pagrindinio produkto numeris

DMN90

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

DMN90H8D5HCTI-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

DMG7401SFGQ-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

DMP3056LVT-7

MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26

diodes

DMN80H2D0SCTI

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

diodes

DMN2005UPS-13

MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060