DMP65H13D0HSS-13
Gamintojo produkto numeris:

DMP65H13D0HSS-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMP65H13D0HSS-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Išsami aprašymas:
P-Channel 600 V 250mA (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventorius:

12978538
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

DMP65H13D0HSS-13 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
250mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
582 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.9W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
31-DMP65H13D0HSS-13TR
Standartinis paketas
4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
renesas-electronics-america

2SK3357-A

2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET

diodes

DMP3045LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

diodes

DMN2710UW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMN21D2UFB-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-