Gamintojo produkto numeris:
DMS3016SFG-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMS3016SFG-7-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventorius:
12883518
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMS3016SFG-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1886 pF @ 15 V
AKT funkcija
Schottky Diode (Body)
Galios išsklaidymas (Max)
980mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
RQ3E100MNTB1
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
5261
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3E100MNTB1-DG
VISO KAINA
0.40
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
RQ3E080BNTB
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
40431
DiGi DALIES NUMERIS
RQ3E080BNTB-DG
VISO KAINA
0.10
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
