Gamintojo produkto numeris:
DMT10H009LFG-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMT10H009LFG-13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 50A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventorius:
13270072
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMT10H009LFG-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
13A (Ta), 50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2361 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2W (Ta), 30W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMT10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMT10H009LFG-13TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT15H067SSS-13
MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
DMG3401LSNQ-13
MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
DMTH6005LFG-13
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI