Gamintojo produkto numeris:
DMT10H009LH3
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMT10H009LH3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 84A TO251
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 84A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-251
Inventorius:
12884654
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMT10H009LH3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
84A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2309 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-251
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pagrindinio produkto numeris
DMT10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMT10H009LH3DI
Standartinis paketas
75
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMG4812SSS-13
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
DMP22D6UT-7
MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
DMTH8003SPS-13
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
