DMT10H009SK3-13

Gamintojo produkto numeris:

DMT10H009SK3-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT10H009SK3-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 91A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12979217

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMT10H009SK3-13 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

91A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

34 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

2028 pF @ 50 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.7W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-252 (DPAK)

Pakuotė / dėklas

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Pagrindinio produkto numeris

DMT10

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMT10H009SK3-13TR

Standartinis paketas

2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

onsemi

NVTFWS012P03P8ZTAG

PT8P PORTFOLIO EXPANSION

micro-commercial-components

MCAC10H04Y-TP

MCAC10H04Y-TP

onsemi

NTMFS6H858NT1G

TRENCH 8 80V NFET

diodes

DMJ70H1D3SK3-13

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&