Gamintojo produkto numeris:
DMT10H025SSS-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMT10H025SSS-13-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 7.4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
4780 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12899549
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMT10H025SSS-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1544 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.4W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
DMT10
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
DMT10H025SSS-13DIDKR
DMT10H025SSS-13DICT
DMT10H025SSS-13DITR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMN30H4D0LFDE-13
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
