DMT10H052LFDF-13

Gamintojo produkto numeris:

DMT10H052LFDF-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT10H052LFDF-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12978826

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMT10H052LFDF-13 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

5A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

5.4 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

258 pF @ 50 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

800mW (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakuotė / dėklas

6-UDFN Exposed Pad

Pagrindinio produkto numeris

DMT10

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMT10H052LFDF-13TR

Standartinis paketas

10,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

DMNH6021SPSW-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

diodes

DMP2065U-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1

diodes

DMT8008LFG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R