DMT10H4M5LPS-13
Gamintojo produkto numeris:

DMT10H4M5LPS-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT10H4M5LPS-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

Inventorius:

12895726
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

DMT10H4M5LPS-13 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Ta), 100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4843 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI5060-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMT10

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
DMT10H4M5LPS-13DI
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
taiwan-semiconductor

TSM8N80CI C0G

MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB

diodes

DMP2066UFDE-7

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM60NB099PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

taiwan-semiconductor

TSM045NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN