DMT6015LFVW-7

Gamintojo produkto numeris:

DMT6015LFVW-7

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT6015LFVW-7-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

Išsami aprašymas:

N-Channel 60 V 10A (Ta), 31.8A (Tc) 2.8W (Ta), 28.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12978754

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMT6015LFVW-7 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

60 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

10A (Ta), 31.8A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

15.7 nC @ 10 V

VGS (Max)

±16V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

808 pF @ 30 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.8W (Ta), 28.4W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount, Wettable Flank

Tiekėjo įrenginių paketas

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Pakuotė / dėklas

8-PowerVDFN

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMT6015LFVW-7TR

Standartinis paketas

2,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

DMTH6016LFVWQ-13-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMN3060LW-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

panjit

PJT7413_S1_00001

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

diodes

DMTH6016LFVWQ-7-A

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333