DMT69M5LCG-13
Gamintojo produkto numeris:

DMT69M5LCG-13

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT69M5LCG-13-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 14.6A (Ta), 52.1A (Tc) 1.37W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Inventorius:

13000905
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

DMT69M5LCG-13 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.37W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
31-DMT69M5LCG-13TR
Standartinis paketas
3,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
DMT69M5LCG-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DMT69M5LCG-7-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
rohm-semi

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

diodes

DMTH8008SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

taiwan-semiconductor

TSM240N03CX

30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE

diodes

BSS138WQ-7-F

BSS FAMILY SOT323 T&R 3K