DMT69M5LFVWQ-7
Gamintojo produkto numeris:

DMT69M5LFVWQ-7

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT69M5LFVWQ-7-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12978596
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

DMT69M5LFVWQ-7 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1406 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
DMT69M5LFVWQ

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
31-DMT69M5LFVWQ-7TR
Standartinis paketas
2,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
diodes

DMTH8008SFGQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

DMTH8008SFGQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

DMP3097L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMP65H9D0HSS-13

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R