Gamintojo produkto numeris:
DMT8007LPSW-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMT8007LPSW-13-DG
Aprašymas:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Išsami aprašymas:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 1.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventorius:
1960 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12992684
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMT8007LPSW-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2682 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Ta), 104W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMT8007
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMT8007LPSW-13TR
31-DMT8007LPSW-13CT
31-DMT8007LPSW-13DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMTH15H017SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMT10H032LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
