DMT8008SCT

Gamintojo produkto numeris:

DMT8008SCT

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

DMT8008SCT-DG

Aprašymas:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

Išsami aprašymas:

N-Channel 80 V 111A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12979119

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

DMT8008SCT Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

Tube

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

80 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

111A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

34 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1950 pF @ 40 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.4W (Ta), 167W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-220-3

Pakuotė / dėklas

TO-220-3

Pagrindinio produkto numeris

DMT8008

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

31-DMT8008SCT

Standartinis paketas

50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

DMT61M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

toshiba-semiconductor-and-storage

TK170V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

diodes

DMG3420UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

diodes

DMP26M1UPS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060