Gamintojo produkto numeris:
DMTH10H009LFGQ-13
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMTH10H009LFGQ-13-DG
Aprašymas:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventorius:
13242672
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMTH10H009LFGQ-13 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Ta), 46A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2361 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMTH10H009LFGQ-13TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMTH10H009LFGQ-7
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DMTH10H009LFGQ-7-DG
VISO KAINA
0.48
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMNH6042SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMP32D9UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
ZXMP10A18KQTC
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
