Gamintojo produkto numeris:
DMTH69M8LFVW-7
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
DMTH69M8LFVW-7-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventorius:
13270157
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DMTH69M8LFVW-7 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakuotė / dėklas
8-PowerVDFN
Pagrindinio produkto numeris
DMTH69
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-DMTH69M8LFVW-7TR
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMTH69M8LFVW-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
DMTH69M8LFVW-13-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT3009UFVW-7
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
