Gamintojo produkto numeris:
ZTX853QSTZ
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
ZTX853QSTZ-DG
Aprašymas:
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventorius:
12979368
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
ZTX853QSTZ Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Box (TB)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
4 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
200mV @ 400mA, 4A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
50nA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 2V
Galia - Maks.
1.2 W
Dažnis - perėjimas
130MHz
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
E-Line-3, Formed Leads
Tiekėjo įrenginių paketas
E-Line (TO-92 compatible)
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
31-ZTX853QSTZTB
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZTX450QSTZ
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
JANS2N3506AL
POWER BJT
BCP5416QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
