Gamintojo produkto numeris:
ZXM66P02N8TA
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
ZXM66P02N8TA-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventorius:
12904125
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
ZXM66P02N8TA Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.4A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2068 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.56W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ZXM66P02N8TR-NDR
ZXM66P02N8DKR
ZXM66P02N8CT
ZXM66P02N8TR
ZXM66P02N8CT-NDR
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DMP2022LSS-13
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
37400
DiGi DALIES NUMERIS
DMP2022LSS-13-DG
VISO KAINA
0.22
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
FDS6375
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
2121
DiGi DALIES NUMERIS
FDS6375-DG
VISO KAINA
0.32
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZVN2120GTC
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
VN10LFTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
ZVP2120GTC
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
