ZXMN2A02X8TC

Gamintojo produkto numeris:

ZXMN2A02X8TC

Product Overview

Gamintojas:

Diodes Incorporated

Detalių numeris:

ZXMN2A02X8TC-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP

Išsami aprašymas:

N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12886935

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

ZXMN2A02X8TC Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Diodes Incorporated

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

20 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

6.2A (Ta)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

2.5V, 4.5V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

18.6 nC @ 4.5 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

1900 pF @ 10 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1.1W (Ta)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-MSOP

Pakuotė / dėklas

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

ZXMN2A02X8TC-DG

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

diodes

ZXMP4A16GTA

MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223

diodes

ZXMN10A25GTA

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

diodes

ZXMN3A02X8TC

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

diodes

ZVP2120GTA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223