Gamintojo produkto numeris:
ZXMN6A11DN8TA
Product Overview
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Detalių numeris:
ZXMN6A11DN8TA-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventorius:
4519 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12905042
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
ZXMN6A11DN8TA Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Diodes Incorporated
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330pF @ 40V
Galia - Maks.
1.8W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SO
Pagrindinio produkto numeris
ZXMN6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ZXMN6A11DN8DKRINACTIVE
ZXMN6A11DN8DKR-DG
ZXMN6A11DN8CT-NDR
ZXMN6A11DN8TR-NDR
ZXMN6A11DN8TR
ZXMN6A11DN8CT
ZXMN6A11DN8DKR
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZXMN2A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
BSS138DW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO