Gamintojo produkto numeris:
EPC2035
Product Overview
Gamintojas:
EPC
Detalių numeris:
EPC2035-DG
Aprašymas:
GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) Surface Mount Die
Inventorius:
24905 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12815553
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EPC2035 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
EPC
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
eGaN®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 800µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.15 nC @ 5 V
VGS (Max)
+6V, -4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
115 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
Die
Pakuotė / dėklas
Die
Pagrindinio produkto numeris
EPC20
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
917-1099-1
917-1099-2
917-1099-6
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
SI3134KL3-TP
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006-3
IRF3707Z
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB