Gamintojo produkto numeris:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Gamintojas:
EPC
Detalių numeris:
EPC2105ENGRT-DG
Aprašymas:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Inventorius:
12795182
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
EPC2105ENGRT Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
EPC
Pakuotė
-
Serijos
eGaN®
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
Technologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfigūracija
2 N-Channel (Half Bridge)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 2.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
300pF @ 40V
Galia - Maks.
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
Die
Tiekėjo įrenginių paketas
Die
Pagrindinio produkto numeris
EPC210
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
