FCPF9N60NT
Gamintojo produkto numeris:

FCPF9N60NT

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FCPF9N60NT-DG

Aprašymas:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventorius:

1700 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946482
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FCPF9N60NT Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
SuperMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
29.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT
Standartinis paketas
217

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3