Gamintojo produkto numeris:
FDC653N
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
FDC653N-DG
Aprašymas:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventorius:
2505 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946642
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDC653N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.6W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SuperSOT™-6
Pakuotė / dėklas
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCFDC653N
2156-FDC653N
Standartinis paketas
1,192
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDPF12N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8444
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8447L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
