FDD6688
Gamintojo produkto numeris:

FDD6688

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FDD6688-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 84A (Ta) 83W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventorius:

147196 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946816
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDD6688 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
84A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3845 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
83W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
FDU6688

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
FAIFSCFDD6688
2156-FDD6688
Standartinis paketas
249

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
fairchild-semiconductor

FDPF5N50NZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

international-rectifier

IRF3703PBF

IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDG316P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQU8P10TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6