FDD8782
Gamintojo produkto numeris:

FDD8782

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FDD8782-DG

Aprašymas:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventorius:

157200 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946700
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDD8782 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1220 pF @ 13 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2156-FDD8782
FAIFSCFDD8782
Standartinis paketas
588

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
fairchild-semiconductor

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK