Gamintojo produkto numeris:
FDG312P
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
FDG312P-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventorius:
91890 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946840
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDG312P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
330 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
750mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-88 (SC-70-6)
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
Standartinis paketas
1,649
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
