FDMS7660

Gamintojo produkto numeris:

FDMS7660

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FDMS7660-DG

Aprašymas:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Išsami aprašymas:

N-Channel 30 V 25A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventorius:

14242 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12946588

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

FDMS7660 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Pakuotė

Bulk

Serijos

PowerTrench®

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

30 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

25A (Ta), 42A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

84 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

5565 pF @ 15 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-PQFN (5x6)

Pakuotė / dėklas

8-PowerTDFN

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

2156-FDMS7660

FAIFSCFDMS7660

Standartinis paketas

337

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FQPF8N80CYDTU

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3

infineon-technologies

IPP0400N

IPP0400N