Gamintojo produkto numeris:
FDU8770
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
FDU8770-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Through Hole IPAK
Inventorius:
7050 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12904323
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDU8770 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Tube
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3720 pF @ 13 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
115W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
IPAK
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCFDU8770
2156-FDU8770-FS
Standartinis paketas
193
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
IXFN44N50U2
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
