FDZ661PZ
Gamintojo produkto numeris:

FDZ661PZ

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FDZ661PZ-DG

Aprašymas:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)

Inventorius:

81670 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946452
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDZ661PZ Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.6A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.8 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
555 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.3W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
4-WLCSP (0.8x0.8)
Pakuotė / dėklas
4-XFBGA, WLCSP

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
FDZ661PZ Datasheet

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
FAIFSCFDZ661PZ
2156-FDZ661PZ
Standartinis paketas
952

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
international-rectifier

IRF6714MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT

stmicroelectronics

STH110N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

international-rectifier

AUIRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDZ451PZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI