FQI5N60CTU
Gamintojo produkto numeris:

FQI5N60CTU

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FQI5N60CTU-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventorius:

34688 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946771
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQI5N60CTU Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262 (I2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
FQI5N60CTU Datasheet

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2156-FQI5N60CTU
FAIFSCFQI5N60CTU
Standartinis paketas
350

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF13N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1