Gamintojo produkto numeris:
FQP14N30
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
FQP14N30-DG
Aprašymas:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Išsami aprašymas:
N-Channel 300 V 14.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
11261 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946600
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FQP14N30 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
300 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
147W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-FQP14N30
FAIFSCFQP14N30
Standartinis paketas
294
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQN1N60CTA
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6724MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
